空乏層

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空乏層（くうぼうそう、depletion layer）とは、半導体のPN接合などでみられる、キャリアが殆ど無く、電気的に絶縁された領域のこと。欠乏層とも言う。

[編集] 概要

半導体のPN接合部分やショットキー接合、MOS接合において見られる、電子や正孔（キャリア）の殆ど存在しない領域。多数キャリアを欠くことで帯電し、電気二重層と内蔵電場を形成する。キャリアの移動に対しては1種の障壁として作用する。 空乏層の幅は印加電圧によって変化する。正方向に電圧をかける事によって縮小または解消する。逆方向に電圧をかけた場合には、その範囲が広がり、電子の移動を妨げる。 厚みが1nm前後またはそれ以下になるとトンネル効果を示す。ダイオードやトランジスタなど各種の半導体素子で利用される。

[編集] 関連項目

• 可変容量ダイオード